砷化镓（GaAs）晶圆属于软脆材料，行业对其研磨抛光后的参数指标普遍要求是：平整度控制在±2um以内，TTV（总厚度变化）控制在每25mm区域1um以内。在满足参数指标的前提下，提升生产效率和质量，一直是Logitech所追求的目标。Logitech研磨抛光设备，是能满足以上要求。可实现8英寸及以下砷化镓（GaAs）晶圆研磨和抛光，具有以下特点：

特点一：采用在线盘平整度检测与控制。研磨盘的平整度，对研磨出的样品至关重要！Logitech研磨抛光设备，修盘时，无需停止样品研磨，设备可在样品研磨的同时，在线监测盘的平整度，根据研磨需要，自动调整摆臂的位置，以保持或改变研磨盘的平整度，使研磨盘达到用户想要的盘目标形状，盘平整度控制的好，研磨出的样品的品质就高，此过程全程无需人工手动干预，大大提升生产效率和质量。

特点二：采用动态研磨工艺。在制造砷化镓（GaAs）晶圆时，为了减少表面损伤，改善表面粗糙度Ra，可以采用动态研磨工艺，让初始载重较高，比如4倍，然后随着砷化镓（GaAs）晶圆的厚度逐渐减小，载重也分阶段降低至3倍、2倍，最后达到1倍，直至达到样品最终的研磨目标厚度。在研磨过程中，较轻的载重将有效减少表面的损伤，产生更好的表面粗糙度Ra，从而缩短后续抛光时间。Logitech设备可通过一次连续操作，完成这一系列的载重调整的过程，大幅度提高生产效率和质量。

以逻辑Akribis-air设备为例，6英寸砷化镓（GaAs）晶圆研磨抛光试验数据如下：

研磨：保持恒定的盘速，使用的三种研磨料对6英寸砷化镓（GaAs）进行六次研磨，其中两次使用3倍（3x）夹具载重，两次使用2倍（2x）夹具载重，还有两次使用1倍（x）夹具载重，对应的材料去除率如下：

抛光：保持恒定的盘速70转/分，使用Logitech专有Chemlox抛光液作为抛光液，对6英寸砷化镓（GaAs）进行六次抛光，其中两次抛光使用4倍（4x）夹具载重，两次使用3倍（3x）夹具载重，还有两次使用2倍（2x）夹具载重，对应材料去除率如下：

试验数据表明，Logitech 设备在砷化镓（GaAs）晶圆生产方面，有稳定的材料去除率，设备加工样品重复性高，通过在线对盘的平整度的控制以及动态研磨技术，控制样品的平整度，降低表面粗糙度Ra，省时省力，提高了生产效率和加工质量。