砷化镓（gallium arsenide），化学式 GaAs。黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。砷化镓是一种重要的半导体材料，属Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体。

    砷化镓晶圆的用途各不相同，主要用于一些二极管、场效应晶体管（FET）和集成电路（IC）等。砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。此外，砷化镓可以用于制造光通信和控制系统中的发光二极管（LED）。砷化镓是半导体材料中兼具多方面优点的材料，其优越的性能已使其成为线性数字IC生产中硅材料的替代者。但由于它在高温下分解，要生产理想化学配比的高纯的单晶材料，技术上要求比较高。

典型的砷化镓晶圆抛光条件：

1、划痕硬度（莫恩尺度）：3

2、磨料：氧化铝粉

3、负荷（g cm-2）：60-80

4、机器：Logitech PM5 / LP50

5、夹具：Logitech PP5 / 6GT

典型的研磨和抛光结果：

1、平整度：5 Fringes

2、表面处理：Ra 3-4nm

3、厚度控制：+/- 2μm至100μm

4、平行度：+/- 2μm

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